Prof. Dr. Ahmet Faruk ÖZDEMİR - Süleyman Demirel Üniversitesi

KİŞİSEL BİLGİLER

Adı Soyadı	Prof. Dr. Ahmet Faruk ÖZDEMİR
Birimi	Fen Edebiyat Fakültesi
Bölüm	Fizik Bölümü
Ana Bilim Dalı	Katı Hal Fiziği Anabilim Dalı
Telefon	2114151
E-Posta	farukozdemir@sdu.edu.tr
YÖK Akademik	Adrese Gitmek İçin Tıklayınız.

Bu sayfadaki kişisel verilerin görünürlüğü KVKK 8. madde hükmü uyarınca ilgili kişinin açık rızası kapsamındadır. Kişisel verilerinizin görünürlüğünü veya hali hazırdaki verilerinizi Personel Bilgi Sistemi'nden (PBS) düzenleyebilirsiniz.

ÖĞRENİM BİLGİLERİ

Lisans	ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ FİZİK ÖĞRETMENLİĞİ 04.07.1991
Yüksek Lisans	SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ FİZİK (YL) 13.09.1996
Doktora	SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ FİZİK (DR) 25.07.2002

AKADEMİK YAYIN ANALİZLERİ

İLGİ ALANLARI

YAYINLAR

SCI, SSCI ve AHCI dışındaki indeks ve özler tarafından taranan dergilerde yayımlanan teknik not, editöre mektup, tartışma, vaka takdimi ve özet türünden yayınlar dışındaki makale

SCI, SSCI ve AHCI tarafından taranan dergilerde yayımlanan teknik not, editöre mektup, tartışma, vaka takdimi ve özet türünden yayınlar dışındaki makale
1 Ç.Ş. Güçlü, A.F. Özdemir, A. Kökce, Ş. Altindal, Frequency and Voltage-Dependent Dielectric Properties and AC Electrical Conductivity of (Au/Ti)/Al2O3/n-GaAs with Thin Al2O3 Interfacial Layer at Room Temperature, Acta Physica Polonica A, Vol. 130, 325 (2016).
2 N. Ucar, N. Turku, A.F. Ozdemir and A. Calik, Boriding of Binary Ni-Ti and Ternary Ni-Ti-Cu Shape Memory Alloys, Acta Physica Polonica A, Vol. 130, 492 (2016)
3 Güçlü, Ç.Ş., Özdemir, A.F. & Altindal, Ş., Double exponential I–V characteristics and double Gaussian distribution of barrier heights in (Au/Ti)/Al2O3/n-GaAs (MIS)- type Schottky barrier diodes in wide temperature range, Appl. Phys. A (2016) 122: 1032. doi:10.1007/s00339-016-0558-x.
4 A.F. Özdemir, D.E. Akcan, H.E. Lapa, and A.G. Yavuz, S.Duman, On the Frequency C-V and G-V Characteristics of Au/Poly(3-Substituted thiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky Barrier Diodes, Vol. 128 (2015) Acta Physica Polonica A No. 2-B.
5 Durmuş Ali Aldemir, Ali Kökce, Ahmet Faruk Özdemir, Temperature dependent ideality factor and barrier height of Ni/n-GaAs/In Schottky diodes; Microelectronic Engineering, 98, 6,(2012).
6 A.F. Özdemir, T. Özsoy, Y. Kansız, M. Sancak, A. Kökce, N. Uçar and D.A. Aldemir, The analysis of hydrostatic pressure dependence of the Au/native oxide layer/n-GaAs/Au-Ge Schottky diode parameters, The European Physical Journal Applied Physics, 60, 10101, (2012).
7 N. Ucar, A. F. Ozdemir, A. Calik and A. Kokce, ''Hydrostatic pressure effect on the electrical properties of Al/conducting polymer (P3DMTPT)/p-Si/Al structure'' Superlattices and Microstructures, 49, 124-131, 2011.
8 Ahmet Faruk Özdemir, Sinem Gürkan Aydin, Durmuş Ali Aldemir, Songül Şen Gürsoy, Electrical and optical properties of p-type silicon based on polypyrrole-derivative polymer, Synthetic Metals, 161, 692, (2011).
9 D.A. Aldemir, M. Esen, A. Kökce, S. Karataş and A.F. Özdemir, Analysis of current–voltage and capacitance–voltage-frequency characteristics in Al/p-Si Schottky diode with the polythiophene-SiO2 nanocomposite interfacial layer, Thin Solid Films, 519, 6004, (2011)
10 Nazım Uçar, Ahmet Faruk Özdemir, Durmuş Ali Aldemir and Güven Çankaya, Time dependence of current–voltage characteristics of Pb/p-Si Schottky diode under hydrostatic pressure, Zeitschrift für Naturforschung 66A, 576, (2011)
11 N. Ucar, A. F. Ozdemir, D. A. Aldemir, S. Cakmak, A. Calik, H. Yildiz and F. Cimilli ''The effect of hydrostatic pressure on the electrical characterization of Au/n-InP Schottky diode'', Superlattices and Microstructures, 42, 586-591, 2010.
12 T. Göksu, N. Yıldırım, H. Korkut, A.F. Özdemir, A. Turut, A. Kökçe, Barrier height temperature coefficient in ideal Ti/n-GaAs Schottky contacts, Microelectronic Engineering, Volume 87, Issue 9, November 2010, Pages 1781-1784.
13 I. Akkurt, H. Akyildirim, A.F. Özdemir, D.A. Aldemir, Neutron irradiation effects on I/V characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes; Radiation Measurements, 45, 1381, (2010).
14 A. F. Ozdemir, Z. Kotan, D.A. Aldemir, and S. Altındal, The effects of the temperature on I-V and C-V characteristics ofAl/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al structure; Eur. Phys. J. Appl. Phys. 46, 20402 (2009)
15 Ahmet Faruk Özdemir, Durmuş Ali Aldemir, Ali Kökce, Seçkin Altindal, Electrical properties of Al/conducting polymer (P2ClAn)/p-Si/Al contacts; Synthetic Metals, 159, 1427 (2009)
16 A. F. Ozdemir, A. Calik, O. Şahin, G. Çankaya and N. Ucar, Effect of indentation on I-V characteristics of Schottky Barrier Diodes; Naturforsch. 63a, 199 - 202 ( 2008).
17 A. F. Özdemir, A. Gök and A. Türüt, The electrical measurements in poly(2-chloroaniline) based thin film sandwich devices; Thin Solid Films 515 (18) 7253-7258 JUN 25 2007
18 A. F. Özdemir, A. Turut and A. Kökçe, The double Gaussian distribution of barrier heights in Au/n-GaAs Schottky diodes from I-V-T characteristics; Semicond. Sci. Technol. 21 No 3 (March 2006) 298-302.
19 A. F. Özdemir, A. Türüt, A. Kökce; The Interface State Energy Distrubition From Capaticance-Frequency Characteristics of Gold/(n)-Type Gallium Arsenide Schottky Barrier Diodes Exposed to air; Thin Solid Films 425 (2003) 210-215.
20 A. F. Özdemir, A. Kökce, A. Türüt; The Effects Of The Time-Dependent And Exposure Time To Air on Au/n-GaAs Schottky Barrier Diodes; Applied Surface Science 191 (2002) 188-195.

Ulusal toplantıda sunularak özet metin olarak yayımlanan bildiri
1 Y. Kansız,A. Kökce, D. A. Aldemir, Ş. Altındal, A.F. Özdemir, Investigation of Capacitance-Voltage Characteristics of Au/Conductive Ploymer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky Diode,ADIM FİZİK GÜNLERİ III, Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Isparta, 17- 18 Nisan 2014, Özet Kitapçığı s. 172.
2 H.E. Lapa, A. Kökce, D.A. Aldemir, Ş. Altında, A.F. Özdemir,The Effects of Illumination on Capacitance-Voltage Characteristics of Au/Conducting Polymer (P3DMTFT)/n-GaAs Schottky Diodes,ADIM FİZİK GÜNLERİ III, Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Isparta,17- 18 Nisan 2014, Özet Kitapçığı s. 162.
3 A.F.Özdemir, A. Kökce, A.Türüt, Au/n-GaAs SCHOTTKY ENGELLİ DİYOTLARDA OKSİTLENME VE YAŞLANMANIN I-V VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ, TFD-21.
4 A.F.Özdemir, A. Kökce, Au/n-GaAs SCHOTTKY ENGELLİ DİYOTLARDA OKSİTLENME VE YAŞLANMANIN SERİ DİRENÇ ÜZERİNE ETKİLERİ, TFD-21.

Uluslararası toplantıda sunularak özet metin olarak yayımlanan bildiri
1 Ç. Ş. GÜÇLÜ, A. F. ÖZDEMİR, Ş. ALTINDAL, Frequency and Voltage-Dependent Dielectric Properties and ac Electrical Conductivity of Au/Ti/Al2O3/n-GaAs at room temperature, 2nd INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPUTATIONAL AND EXPERIMENTAL SCIENCE AND ENGINEERING (ICCESEN-2015)14-19 October 2015, ANTALYA-TURKEY.
2 Ç. Ş. GÜÇLÜ, A. F. ÖZDEMİR, Ş. ALTINDAL, Frequency Dependence of Dielectric Properties and ac Electrical Conductivity of Au/Ti/Al2O3/n-GaAs structures with Different Thicknesses Al2O3 interfacial layer, 2nd International Nanoscience and Nanotechnolgy for Next Generation (NaNoNG) 2015, Antalya, Sherwood Club Kemer, TURKEY between October 29 - 31, 2015.
3 D. Ali Aldemir, A. Kökce and A. Faruk Özdemir. Investigation of current-voltage-temperature characteristics in Al/p-SiSchottky diode with the polythiophene SiO2 nanocomposite interfacial layer, International Semiconductor Science and Technology Conference, Istanbul, Turkey,January 13-15 2014, ISSTC-2014 Abstract Book, p. 99.
4 T. Göksu, A.F. Özdemir, A. Türüt and N. Uçar, Metal-Thickness Dependence On The Electrical Propertiesof Ideal Ti/n-GaAs Schottky Contacts, International Semiconductor Science and Technology Conference, Istanbul, Turkey,January 13-15 2014, ISSTC-2014 Abstract Book, p. 123.
5 Ahmet Faruk ÖZDEMİR, Dilara Ecem AKCAN, Havva Elif LAPA, Yılmaz KANSIZ, On the frequency dependent C-V and G-V characteristics of Au/Poly(3-Subsitutethiophene)(P3DMTFT)/n-GaAs Schottky Barrier diodes, INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPUTATIONAL AND EXPERIMENTAL SCIENCE AND ENGINEERING (ICCESEN) 25-29 October 2014 ANTALYA-TURKEY.
6 D.E. AKCAN and A. F. ÖZDEMİR, The calculation of basic parameters of Au/P3DMTFT/n-GaAs/Au Schottky diodes from current-voltage (I-V) characteristics, 02 -05 Eylül 2013, Türk Fizik Derneği 30. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul/Türkiye, Absract Book s. 460.
7 Y. KANSIZ, A. KÖKCE, D. A. ALDEMİR, and A. F. ÖZDEMİR, The analysis of temperature dependence of Au/conductive polymer (P3DMTFT) / n-GaAs Schottky diode parameters, 02 -05 Eylül 2013, Türk Fizik Derneği 30. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul/Türkiye, Absract Book s. 519.
8 H. E. LAPA, A. KÖKCE, D. A. ALDEMİR, Ö. SEVGİLİ and A. F. ÖZDEMİR, Analysis of electrical and photovoltaic characteristics of Au/ poly (3-subsitutethiophene) (P3DMTFT) / n-GaAs Schottky diode, 02 -05 Eylül 2013, Türk Fizik Derneği 30. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul/Türkiye, Absract Book s. 527.
9 A. KÖKCE, H. E. LAPA, D. A. ALDEMİR, A. F. ÖZDEMİR, Analysis of current-voltage (I-V) characteristics in Au/ poly (3-subsitutethiophene) (P3DMTFT) / n-GaAs Schottky diodes, 05 -08 Eylül 2012, Türk Fizik Derneği 29. Uluslararası Fizik Kongresi, s. 605.
10 D. A. ALDEMİR, A. KÖKCE, and A.F. ÖZDEMİR, The comparison of important contact parameters of Ni/n-GaAs/In Schottky diodes obtained by different methods, 06 -09 Eylül 2011, Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi.
11 A. F. ÖZDEMİR, N. UÇAR, D. A. ALDEMİR, Y. KANSIZ, T. ÖZSOY and M. SANCAK, The analysis of hydrostatic pressure dependence of Au/n-GaAs/Au-Ge Schottky diode parameters with different methods, 06 -09 Eylül 2011, Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi.
12 T.GÖKSU, A.F.ÖZDEMİR, A.TÜRÜT, Effects of metal thickness and temperature on electrical properties in ideal Ti/n-GaAs Schottky Contacts, 6-11 Eylül 2011, Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi.
13 A. KKÖKCE, S. KARATAŞ, A.F. ÖZDEMİR, A.G. YAVUZ, Determination of some electrical parameters of n-InP/P3DMTFT device structure using forward bias I-V Characteristics, Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi.
14 A.F.Özdemir, A.G. Yavuz; ELECTRONIC PROPERTIES OF Al/CONDUCTING POLYMER (P3DMTPT)/P-Si/Al CONTACTS, 24 - 27 Ağustos 2009, Türk Fizik Derneği 26. Uluslararası Fizik Kongresi.
15 A.F. ÖZDEMİR , S. A. GÜRKAN, D. A. ALDEMİR , and S. ŞEN , Electrical characterization of p-type Silicon based on conducting polymer, 24 - 27 Ağustos 2009, Türk Fizik Derneği 26. Uluslararası Fizik Kongresi.
16 D. A. ALDEMİR , M. ESEN , A. KÖKCE, and A.F. ÖZDEMİR , Analysis of current-voltage characteristic in Al/p-Si Schottky diode with the polythiophene-SiO2 nanocomposite interfacial layer, 24 - 27 Ağustos 2009, Türk Fizik Derneği 26. Uluslararası Fizik Kongresi.
17 H. AKYILDIRIM, D. A. ALDEMİR, K. GUNOĞLU, A.F. ÖZDEMİR , and İ. AKKURT, Radiation hazards on electrical properties of Schottky diodes, 24 - 27 Ağustos 2009, Türk Fizik Derneği 26. Uluslararası Fizik Kongresi
18 İ. Akkurt, H. Akyıldırım, A. F. Özdemir, D. A. Aldemir, Neutron irradiation effects on I - V characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes, 12-16 October 2009, 11th Neutron and Ion Dosimetry Symposium (NEUDOS-11).
19 Aysegul Uygun, Songul Sen, Ayse Gul Yavuz, Tahir Tilki, Çiğdem KarabacaK, Zafer Maslakçı, Mustafa Yavuz, Nevin Aytemiz Ahmet Faruk Özdemir, Synthesis and Characterization of Poly-[3-(2,5-dimethyl-4-tienyl)phenyl Tiyophene] (P3DMTPT): Electroreological Properties the Some Electrical Properties of the P3DMTPT /n-InP Structure , APA-POLY2008, New Delhi-India.
20 ÖZDEMİR A.F., KOTAN Z., ALDEMİR D. A., KÖKCE A., ALTINDAL S., Temparature dependence of electrical parameters of Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al structure, 28 - 31 Ağustos 2007, Türk Fizik Derneği 24. Uluslararası Fizik Kongresi.
21 ÖZDEMİR A.F., ALDEMİR D. A , KÖKCE A., ALTINDAL S., Current-Voltage(I-V) and Capacitance-Voltage-Frequency(C-V-f) Characteristics of Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al Schottky diode, 28 - 31 Ağustos 2007, Türk Fizik Derneği 24. Uluslararası Fizik Kongresi.
22 A. F. Özdemir, A. Gök, A. Türüt, THE CURRENT-VOLTAGE AND CAPACITANCE-FREQUENCY CHARACTERISTICS OF ALUMINUM AND CHEMICALLY SYNTHESIZED POLY(2-CHLOROANILINE) (P2ClAn)(CH3COOH) CONTACTS, II-Uluslararası Eğirdir Kimya Kongresi.
23 A.F.Özdemir, A. Kökce, A.Türüt, N.Uçar, Au/n-GaAs Schottky Diyotların Elektriksel Parametreleri Üzerine Farklı Yüzey Temizleme İşlemlerinin Etkileri, TFD-23.

SCI, SSCI ve AHCI tarafından taranan dergilerde yayımlanmış ve yazar olarak yer alınmayan yayınlarda yapılan atıf
1 Han SY, Choi KJ, Lee JL, et al.Electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor Schottky diodes using a photowashing treatment in AlzGa1-xAs/InGaAs (X=0.75) pseudimorphic high electron mobility transistorsJ VAC SCI TECHNOL B 21 (5): 2133-2137 SEP-OCT 2003
2 Cetinkara HA, Turut A, Zengin DM, et al.The energy distribution of the interface state density of Pb/p-Si Schottky contacts exposed to clean room airAPPL SURF SCI 207 (1-4): 190-199 FEB 28 2003
3 Biber M, Turut AThe Cu/n-GaAs Schottky barrier diodes prepared by anodization processJ ELECTRON MATER 31 (12): 1362-1368 DEC 2002

Ulusal kuruluşlarca desteklenen proje yürütücülüğü
1 İletken polimer (P3DMTFT) arayüzeyli Au/n-GaAs Schottky yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) özelliklerinin karakterizasyonu, SDÜBAP 3467-YL2-13.
2 Schottky Metal Kalınlığına Bağlı Olarak Hazırlanan Ti/n-tipi GaAs Schottky Kontakların Sıcaklık Bağımlı Karakteristleriinin Belirlenmesi, 2142-D-10, SDÜ_BAP.
3 Al / PNpClPh PPy / p - tipi Si kontağın elektronik özellikleri, SDÜBAP

Ulusal kuruluşlarca desteklenen projede görev alma
1 Göller Bölgesi Yenilikçi Teknolojiler Merkezi Altyapı Projesi
2 Heteroatom İçeren Bazı İletken Polimer ve Türevlerinin Sentezi, Termal-İletkenlik Özelliklerinin İncelenmesi, Reolojik ve Diyot Çalışmalarında Potansiyel Olarak Uygulamalarının Geliştirilmesi, TBAG, Aralık 2005-Şubat 2008.
3 METAL-YARIİLETKEN-METAL KONTAK YAPILARINDA AKIM-VOLTAJ VE KAPASİTE-VOLTAJ KARAKTERİSTİKLERİNİN DENEYSEL İNCELENMESİ, SDÜBAP

Ulusal sempozyum, kongre, kurs (workshop) düzenlenmesi gibi etkinliklerde görev almak
1 TÜRK FİZİK DERNEĞİ 21. FİZİK KONGRESİ YEREL ORGANİZASYON KURULU

VERDİĞİ DERSLER

Bitirme Ödevi
Fizik - I
Fizik 2
Fizik II
Fizik-1 Laboratuarı
Fizik-2 Laboratuarı
Genel Fizik

Bu İçeriği Paylaş!

Koordinatörlükler

Bize Ulaşın!